TN2010T N沟道MOSFET 200V 120mA/0.12A SOT-323/SC-70 marking/标记 R1P 高速开关/低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 120mA/0.12A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.011Ω/Ohm @100mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-3.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | Low On-Resistance: 9.5 Secondary Breakdown Free: 220 V Low Power/Voltage Driven Low Input and Output Leakage Excellent Thermal Stability |
| 描述与应用 | 低导通电阻：9.5？ 二次击穿免费：220V 低功率/电压驱动 低输入和输出泄漏 优良的热稳定性 |
| 规格书PDF |
