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TPC8303 双P沟道场效应管 -30V -4.5A SM8 代码 TPC8303 增强模式 低漏电流

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 -30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 ±20 V
最大漏极电流Id
Drain Current
 -4.5A
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance
 VGS = −4 V, ID = −2.2 A RDS=55~65mΩ
VGS = −10 V, ID = −2.2 A RDS=27~35mΩ
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 −0.8~ −2.0 V
耗散功率Pd
Power Dissipation
 0.75W
描述与应用
Description & Applications
   东芝硅P沟道MOS场效应晶体管类型(U?MOSII)
  锂离子电池应用
  便携式设备的应用程序
  笔记本电脑
  低消耗源电阻:RDS()= 27 mΩ(typ)。
  高向前转移导纳:| yf | = 7 S(typ)。
  低漏电流:ids=-10μA(max)(VDS =-30 V)
  增强模式:Vth =-0.8 ~-2.0 V(VDS =?10 V,ID =?1 mA)
 
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