我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

TSDF1920W-GS08 NPN三极管 10V 40mA 24GHz 100 100mV/0.1V SOT-343 marking/标记 YH

热销商品

产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)10V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)3.5V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)40mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)24GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage100mV/0.1V
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon NPN Planar RF Transistor Applications For RF front–ends, low noise, and wideband applications, such as in analogue and digital cellular and cordless phones (DECT, PHD), in TV systems (e.g. satellite tuners), in high frequency oscillators up to 12 GHz, in pagers and radar detectors. Features Very low noise figure Very high power gain High transition frequency fT = 24 GHz Low feedback capacitance Emitter pins are thermal leads
描述与应用硅NPN平面RF晶体管 应用 对于RF前端,低噪声,宽带应用,如模拟和数字蜂窝和无绳电话(DECT,PHD),电视系统(例如卫星调谐器),在高频振荡器到12 GHz,传呼机雷达探测器。 特点 非常低的噪声系数 非常高的功率增益 过渡频率fT=24 GHz的 低反馈电容 发射极引脚热商机
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00