UPA1917TE P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.042ohm SOT-163 marking/标记 TR 8V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -600mA/-0.6A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.042Ω @-3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.45--1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES •1.8 V drive available •Low on-state resistance RDS(on)1 = 53 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –3.0 A) RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –3.0 A) RDS(on)3 = 107 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A) |
| 描述与应用 | .8 V可驱动 •低通态电阻 的RDS（on）1 =53mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=70mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=107mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.5“） |
| 规格书PDF |
