UPA652TT-E1 P沟道MOS场效应管 -20V 2A 0.0235ohm SOT-363 marking/标记 WF 2.5V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -2A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.0235Ω @-1A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.5--1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 294 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A) RDS(on)2 = 336 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −1.0 A) RDS(on)3 = 514 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.5 A) |
| 描述与应用 | •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS（on）1 =294mΩ最大。（VGS= -4.5 V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）= 336mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）= 514mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-0.5 A） |
| 规格书PDF |
