我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

UPA891TD NPN+NPN复合三极管 9V 100mA 120 SOT-763 标记H 用于开关/数字电路

热销商品

产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)5.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)6500MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)120
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)210mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)Features • NEC's NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR • LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION • SMALL PACKAGE OUTLINE:1.2 mm x 0.8 mm • LOW HEIGHT PROFILE:Just 0.50 mm high • TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:NE851 • IDEAL FOR 1-3 GHz OSCILLATORS
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio特点 •NEC的双晶体管NPN硅RF •低电压,低电流操作 •小型封装:1.2毫米x0.8毫米 •外形高度低:仅0.50毫米高 •两个低噪声振荡器晶体管:NE851 •适用于1-3 GHz的振荡器
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00