XP161A02A1PR N沟道MOSFET 20V 3A SOT-89 marking/标记 102 高速开关/低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.11Ω/Ohm @1.5A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.7V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | N-Channel Power MOS FET DMOS Structure Low On-State Resistance: 0.11Ω (max) Ultra High-Speed Switching SOT-89 Package |
| 描述与应用 | N沟道功率MOS FET DMOS结构 低导通电阻0.11（最大值） 超高速开关 SOT-89封装 |
| 规格书PDF |
