我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

XP4316 NPN+PNP复合阻尼三极管 50V 0.1A HEF=160~460 R1=4.7KΩ SOT-363/SC-88 标记7U 用于开关/数字电路

热销商品

产品描述
Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  50V
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  50V
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  100MA/0.1A
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  -50V
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  -50V
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  -0.1A/100MA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  4.7KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)   4.7KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2  160~460 / 160~460
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  150MHZ / 80MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation  150MW/0.15W
Description & Applications
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)
Two elements incorporated into one package.
(Transistors with built-in resistor)
 UNR1216(UN1216) + UNR1116(UN1116)
描述与应用
 硅NPN型外延刨床晶体管(Tr1)
  硅PNP型外延刨床晶体管(Tr2)
  两个元素纳入一个包。
  (晶体管内置电阻)
 UNR1216(UN1216) + UNR1116(UN1116)
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00