ZVNL110GTA N沟道MOSFET 100V 600mA/0.6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 ZVNL110 高速开关/低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 600mA/0.6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.0Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.75-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES LOW RDS(ON) - 3Ω PARTMARKING DETAIL - ZVNL110 |
| 描述与应用 | N沟道增强 模式垂直DMOS FET 低RDS（ON） - 3Ω PARTMARKING详细信息 ZVNL110“ |
| 规格书PDF |
