BSP89 N沟道MOSFET 240V 350mA/0.35A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP89 高速开关/无二次击穿/直接连接到C-MOS，TTL
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 240V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 350mA/0.35A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 4.9Ω/Ohm 350mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.8W |
| Description & Applications | Smart Lowside Power Switch N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated •Pb-free lead plating; RoHS compliant • ee lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 |
| 描述与应用 | 低端智能电源开关 N沟道 增强模式 逻辑电平 dv / dt的额定 •无铅引脚电镀，符合RoHS •EE镀铅，符合RoHS标准 符合AEC Q101 |
| 规格书PDF |
