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BSP89 N沟道MOSFET 240V 350mA/0.35A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP89 高速开关/无二次击穿/直接连接到C-MOS,TTL

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage240V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current350mA/0.35A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance4.9Ω/Ohm 350mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.8W
Description & ApplicationsSmart Lowside Power Switch N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated •Pb-free lead plating; RoHS compliant • ee lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101
描述与应用低端智能电源开关 N沟道 增强模式 逻辑电平 dv / dt的额定 •无铅引脚电镀,符合RoHS •EE镀铅,符合RoHS标准 符合AEC Q101
规格书PDF
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