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KRA556E PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA 200mW/0.2W R1=4.7KΩ R2=47KΩ SOT-553/TESV 标记PF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -100MA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  4.7KΩ
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  47KΩ
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2)
 0.1
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 200MHZ
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.2W
描述与应用
Description & Applications
 外延平面PNP型晶体管
  切换应用程序。
  接口电路和驱动电路的应用。
  特性
  内置偏置电阻。
  简化了电路设计。
  减少数量的零部件和制造过程。
  ·高存储密度。
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