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SI3911DV-T3-E3 复合场效应管 -20V -1.8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 11

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance300mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用双P沟道20-V(D-S)的MOSFET
规格书PDF
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