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UP0431200L NPN+PNP复合三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 60 SOT-563 标记7T 用于开关/数字电路

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产品描述
Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  50V
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  50V
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  100MA/0.1A
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  -50V
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  -50V
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  -100MA/-0.1A
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  22KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   22KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)   22KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)   22KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2  60/60
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  150MHZ/80MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation  125MW/0.125W
Description & Applications
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
For switching/digital circuits
■ Features
• Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■ Basic Part Number
• UNR2212 + UNR2112
描述与应用
 NPN型硅外延平面类型(Tr1)
  PNP型硅外延平面类型(Tr2)
  开关/数字电路
  ■特性
  两个元素纳入一个包(晶体管内置电阻)
  减少一半的安装面积和组装成本
  ■基本零件号
  UNR2212 + UNR2112
 
规格书PDF
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