我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

AAT8107IAS-T1 复合场效应管 -20V -6.5A SOIC8/SOP8 marking/标记 GA7 负载开关

价格(不含运费):
起批量(PCS):
¥5.000
≤99
¥4.500
≤499
¥3.750
≤999
¥3.250
≤2499
¥3.000
整包

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-6.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.046Ω@ VGS =-2.5V, ID=-5.0A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel Power MOSFET General Description The AAT8107 low threshold 20V, dual P-Channel MOSFET is a member of AnalogicTech's TrenchDMOS product family. Using an ultra-high density proprietary TrenchDMOS technology the AAT8107 is designed for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. Applications • Battery Packs • Battery-powered portable equipment
描述与应用P沟道功率MOSFET 概述 AAT8107低阈值为20V,双P沟道MOSFET AnalogicTech的TrenchDMOS产品系列的成员。使用一个超高密度的专有TrenchDMOS技术AAT8107是专为使用作为负载开关 在电池组中电池供电的应用和保护。 应用 •电池组 •电池供电的便携式设备
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号  技术支持: 奇点网络 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00