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FDC658P P沟道MOS场效应管 -30V -4A 0.041ohm SOT-163 marking/标记 658

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.041Ω @-4A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1--3V
耗散功率PdPower Dissipation1.6W
Description & Applications• Rugged gate rating (±12V). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick).
描述与应用•坚固的门评级(±12V)。 •高性能沟道技术极低的RDS(ON) •的SuperSOT TM-6包装:占地面积小(小72% 比标准的SO-8);低调(1mm厚)
规格书PDF
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