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2SK210-BL N沟道结型场效应管 18v 12~24mA SOT-23 marking/标记 YL 低噪声系数:NF=1.8dB

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage18v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -18v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current12~24ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -1.2~-3v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET High Power Gain :Gps=24dB(Typ.) (f=100MHz) Low Noise Figure :NF = 1.8dB(Typ.) (f=100MHz) High Forward Transfer Admitance : |Yfs|: |Yfs| = 7 mS (typ.) (f=1kHz)
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 高功率增益:GPS =24分贝(典型值)(F =100MHz时) 低噪声系数:NF=1.8分贝(典型值)(F =100MHz时)
规格书PDF
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