RTQ035N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 QP
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive). |
| 描述与应用 | 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动 |
| 规格书PDF |
