PUMH9 NPN+NPN复合三极管 50V 100mA R1=10KΩ R2=47KΩ SOT-363/SC-88 标记Ht9 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA |
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 0.21 |
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 0.21 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100 |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) | |
耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W |
描述与应用 | 特点 •NPN电阻配备双晶体管 •晶体管内置偏置电阻(R1典型值10kΩ和R2典型值47kΩ的。) •晶体管之间没有相互干扰 •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间。 应用 •特别适用于空间减少接口和驱动电路 •逆变器电路配置,而无需使用外部电阻器。 |
规格书PDF |