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SI1303DL-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -720mA 0.360ohm SOT-323 marking/标记 LA 功率MOSFET 2.5V驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-720mA/-0.72A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.360Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.6--1.4V
耗散功率PdPower Dissipation340mW/0.34W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFETs • 2.5 V Rated
描述与应用功率MOSFET •2.5 V额定
规格书PDF
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