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SI1501DL 复合场效应管 20V/-20V 250mA/-180mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 rn

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V/8V
最大漏极电流IdDrain Current250mA/-180mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2Ω@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8Ω@ VGS =-4.5V, ID =-180mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.5V/-0.4~-1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
描述与应用互补的20-V(D-S) 低阈值MOSFET
规格书PDF
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