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INK0001AC1 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 K1 极低的RDS/低栅极电荷

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.0035Ω/Ohm 100mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications・Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. ・Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth=0.6~1.2V ・Low on Resistance. Ron=3.5Ω(TYP) ・High speed switching. ・Small package for easy mounting.
描述与应用·输入阻抗高,并且没有必要 考虑驱动电流。 ·阈值电压低,由低电压的驱动器是可能的。 VTH =0.6〜1.2V ·低导通电阻。罗思=3.5Ω(TYP) ·高速开关。 ·易于安装的小型封装。
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