HAT2204C n沟道场效应管 12V 3.5A SOT363 代码 VU 低导通电阻 低驱动电流
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
3.5A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
RDS(on) = 26m Ω typ.(at VGS = 4.5 V) |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power dissipation |
900MW |
| 描述与应用 Description & Applications |
硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管
电源转换装置
低导通电阻
RDS()= 26mΩ typ。(Vgs = 4.5 V)
低驱动电流
高密度安装
1.8 V门驱动装置
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| 规格书PDF |
