RT3P11M PNP+PNP复合三极管 -50V -100mA HEF=50 R1=R2=10KΩ SOT-363/SC-88 标记P11 用于开关/数字电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.15W |
| 描述与应用 Description & Applications |
复合晶体管和电阻
切换应用程序
硅外延式
RT3P11M是一个复合晶体管内置两个
RT1P141 sc - 88包。
反向电路、开关电路、
接口电路,驱动电路
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