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SI1403DL P沟道MOS场效应管 -20V 1.5A 0.145ohm SOT-363 marking/标记 OA

型号：SI1403DL
标记/丝印/代码/打字：OA
厂家：VISHAY
批号：05+1r06nopb 00+
封装：SOT-363/SC70-6
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.145Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation	625mW/0.625W
Description & Applications	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用	P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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