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PEMD12 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=80 R1=R2=47KΩ 300mW/0.3W SOT-563/SOT666 标记d2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  
耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 300mW/0.3W
Description & Applications Features • PNP/PNP resistor-equipped transistors; • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • Low current peripheral driver • Replacement of general purpose transistors in digital applications • Control of IC inputs.
描述与应用 特点 •PNP / PNP电阻配备晶体管; •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •低电流的外设驱动程序 •通用晶体管数字应用的更换 •控制IC投入。
规格书PDF
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