我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

MP6K61FU7 复合场效应管 30V 5A MPT6 marking/标记 MP6K61 4V驱动 内置保护二极管

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance77mΩ@ VGS =4V, ID =5A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & Applications4V Drive Nch+Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. Application Switching
描述与应用4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 1)低导通电阻。 2)内置G-S的保护二极管。 应用 交换
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00