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2SK1195 N沟道MOSFET 230V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1195 适用于4V驱动/静态的Rds(on)是小/内置ZD门保护

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage230V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.2Ω/Ohm @1.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2-4V
耗散功率Pd Power Dissipation10W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement type Features N-Channel Enhancement type Applicable to 4V drive The static Rds(on) is small Built-in ZD for Gate Protection
描述与应用N沟道增强型 特性 N沟道增强型 适用于4V驱动 静态的Rds(on)是小 内置ZD门保护
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