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2SB1073GRL PNP三极管 -30V -4A 120MHz 180~315 -1000mV/-1V SOT-89/SC-62 marking/标记 IR 低频放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−20V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-4A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~315
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation1W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For low-frequency amplification Features Low collector to emitter saturation voltage Large peak collector current ICP Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing.
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于低频放大 特点 集电极到发射极饱和电压低 大峰值集电极电流ICP 迷你功率型封装,允许瘦身带包装盒包装的设备和通过自动插入。
规格书PDF
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