BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -0.3A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 6Ω @-200mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.5--3.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | OptiMOS -P Small-Signal-Transistor P-Channel Enhancement mode Super Logic Level (2.5 V rated) 150°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated |
| 描述与应用 | OptiMOS-P小信号晶体管 P沟道 增强模式 超级逻辑电平（2.5 V额定） 150°C的工作温度 额定雪崩 dv / dt的额定 |
| 规格书PDF |
