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HN1B04F PNP+NPN复合三极管 -35V/35V -500mA/500mA HEF=70~400 SOT-163/SM6/SOT-26 标记50 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -35V/35V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -30V/30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -500mA/500mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz/300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~400/700~400
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -100mV/100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: • Excellent hFE linearity : hFE(2)= 25 (min) at VCE = −6V, IC = −400mA Q2: • Excellent hFE linearity : hFE(2) = 25 (min) at VCE = 6V, IC = 400mA • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • Driver Stage Amplifier Applications • Switching application
描述与应用 特点 •东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型(PCT工艺)(PCT工艺) Q1: •优秀的HFE线性:HFE(2)=25(分钟)在VCE=6V,IC=-400毫安 Q2: •优秀的HFE线性:HFE(2)=25(分钟)VCE=6V,IC=400毫安 •音频通用放大器应用 •驱动器级放大器的应用 •开关应用
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