SI3454ADV N沟道MOSFET 30V 3.4A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 A4E 低导通电阻/DMOS结构式
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 85mΩ@ VGS =4.5V, ID =3.8A |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1~3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.14W |
| Description & Applications | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 | N沟道30-V（D-S）的MOSFET |
| 规格书PDF |
