SI1302DL N沟道MOSFET 30V 640mA/0.64A SOT-323/SC-70 marking/标记 KA 高速开关/低阈值电压
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 640mA/0.64A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.480Ω/Ohm @600mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 310mW/0.31W |
| Description & Applications | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 | N沟道30-V（D-S）的MOSFET |
| 规格书PDF |
