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2SA1419T-TD PNP三极管 -180V -1.5A 120MHz 200~400 -130mV/-0.13V SOT-89/PCP marking/标记 AET 高击穿电压/高速/高压开关

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)-160V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-1.5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-130mV/-0.13V
耗散功率PcPoWer Dissipation1.5W
Description & ApplicationsPNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs.
描述与应用PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高压开关的应用 特点  ·采用FBET,MBIT过程。  ·高击穿电压和大电流的能力。  ·快速开关时间。  ·体积非常小,因此很容易提供高密度,小尺寸的混合集成电路。
规格书PDF
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