2SJ586 P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 4.1ohm SOT-323 marking/标记 CP 低导通电阻 高速开关
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -0.1A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 4.1Ω @-50mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.8--1.8V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | • Low on-resistance RDS = 4.1 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) RDS = 6.0 Ω typ. (VGS= -2.5 V , ID = -50 mA) • 2.5 V gate drive device. • Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 | •低导通电阻 RDS= 4.1Ω（典型值）。 （VGS=-4 V，ID=-50毫安） RDS=6.0Ω（典型值）。 （VGS= -2.5 V，ID=-50毫安） •2.5 V门驱动装置。 •小型封装（CMPAK） |
| 规格书PDF |
