RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -2.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.07Ω @-2.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.7--2.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Features Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3). |
| 描述与应用 | 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3） |
| 规格书PDF |
