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N0300P P沟道MOS场效应管 -30V 4.5A 0.056ohm SOT-23 marking/标记 XZ 内置栅极保护二极管 4.5V驱动 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.056Ω @-2A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES • 4.5 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 72 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −2.0 A) RDS(on)2 = 105 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −2.0 A) • Built-in gate protection diode
描述与应用•4.5 V可驱动 •低通态电阻 的RDS(on)1 =72mΩ最大。(VGS= -10 V,ID= -2.0ấ) 的RDS(on)=105mΩ最大。 VGS= -4.5 V,ID= -2.0) •内置栅极保护二极管
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