我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

NTHD4P02FT1G 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.2A 2.2A 0.48V 1206-8/vs-8 marking/标记 C3E DC-DC转换器

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageP沟道 P-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-12V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance-2.2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage155mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.2A
耗散功率PdPower Dissipation-0.6~-1.2V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用20V
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号  技术支持: 奇点网络 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00