SI1300BDL N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70 marking/标记 REZ 低水平阈值
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 400mA/0.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.4-1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested |
| 描述与应用 | N沟道20-V（D-S）的MOSFET TrenchFET？功率MOSFET 100％的Rg测试 |
| 规格书PDF |
