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EEPROMs-串行存储器 BR24L01AFVM-WTR MSOP8 marking/标记 L01

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产品描述
存储器格式Format - MemoryEEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial
存储器类型Memory TypeEEPROM
存储容量Memory Size1K (128 x 8)
速度Speed400kHz
接口InterfaceI²C,2 线串口 I²C, 2-Wire Serial
电源电压Voltage - Supply1.8 V ~ 5.5 V
Description & ApplicationsAK93C45A / 55A / 65A / 75A 1K / 2K / 4K / 8Kbit Serial CMOS EEPROM Features 1) 128 registers × 8 bits serial architecture. 2) Single power supply (1.8V to 5.5V). 3) Two wire serial interface. 4) Self-timed write cycle with automatic erase. 5) 8 byte page write mode. 6) Low power consumption. Write (5V) : 1.2mA (Typ.) Read (5V) : 0.2mA (Typ.) Standby (5V) : 0.1µA (Typ.) 7) DATA security Write protect feature (WP pin) . Inhibit to WRITE at low VCC. 8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10) High reliability fine pattern CMOS technology. 11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12) Data retention : 40 years 13) Filtered inputs in SCL•SDA for noise suppression. 14) Initial data FFh in all address.
描述与应用AK93C45A/55A/65A/75A 1K /2K /4K/串行CMOS EEPROM的8Kbit 1)128个寄存器×8位串行架构。 2)单电源(1.8V至5.5V)。 3)两线串行接口。 4)自定时写周期自动擦除。 5)8字节页写模式。 6)低功耗。 写(5V):1.2毫安(典型值) 阅读(5V):0.2毫安(典型值) 待机(5V):0.1μA(典型值) 7)数据安全 写保护功能(WP引脚)。 抑制低VCC写。 8)小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9)高可靠性的EEPROM的双单元结构 10)高可靠性的精细图案CMOS技术。 11)耐力:1,000,000擦除/写周期 12)数据可保持40年 13)过滤投入SCL•SDA噪声抑制。 14)初始数据FFh的所有地址
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