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SSM3K15FV N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-723/VESM marking/标记 DP

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.2Ω/Ohm @10A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsHigh-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用高速开关应用 模拟开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻 :RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS=4 V) RON =7.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V)
规格书PDF
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