我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

PMN38EN N沟道MOSFET 30V 5.4A SOT-163/TSOP-6/SC-74 marking/标记 38 快速开关/低功率损耗/极低的RDS

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation1.75W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package
描述与应用TrenchMOS逻辑电平N沟道FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)在一个塑料 包装使用TrenchMOS技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00