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SI5445DC-T1 P沟道MOS场效应管 -8V 7.1A 0.030ohm Vth:-0.45V 1206-8 marking/标记 BC

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-7100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.030Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V(G-S)的MOSFET
规格书PDF
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