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2SB1220GSL PNP三极管 -150V -50mA 200MHz 185~330 -1000mV/-1V SOT-323/SC-70 marking/标记 IS 高击穿电压/低噪声放大器

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−150V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)185~330
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary to 2SD1821 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. S-Mini type package
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于高击穿电压低噪声放大 补充型2SD1821 特点 高集电极发射极电压VCEO。 低噪声电压NV。 S-迷你型封装
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