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SI3445DV P沟道MOS场效应管 -8V 5.6A 0.034ohm SOT-163 marking/标记 45

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-5.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.034Ω @-5.6A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
规格书PDF
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