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BFT46 N沟道结型场效应管 25v 0.2~1.5mA SOT-23 marking/标记 M3W 低级别的通用放大器

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage25v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.2~1.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管说明 对称n沟道硅 外延结型场效应 晶体管在一个超小型的塑料 信封。晶体管的目的 低级别通用 放大器厚薄膜 电路。
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