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BFR750L3RH NPN三极管 13V 90mA 37GHz 160~400 TSLP-3-9 marking/标记 R8 高增益超低噪声RF晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)90mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)37GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)160~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsNPN Silicon Germanium RF Transistor • High gain ultra low noise RF transistor • Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz • Ideal for WLAN and all 5-6 GHz applications • High OIP3 and P-1dB for driver stages • High maximum stable and available gain • 150 GHz fT-Silicon Germanium technology • Extremly small and flat leadless package,reduced height 0.32 mm max. • Pb-free (RoHS compliant) • Qualified according AEC Q101
描述与应用NPN硅锗射频晶体管 •高增益超低噪声RF晶体管 •高达10 GHz的范围广泛的无线应用提供出色的性能 •适用于WLAN和所有5-6 GHz应用 •高OIP3和P-1分贝的的驱动程序阶段 •最高稳定和可用增益 •150 GHz的FT-硅锗技术 的极端小而扁平无引线封装,高度降低0.32毫米最大。 •无铅(符合RoHS) •符合AEC Q101
规格书PDF
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