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BFR740L3RH NPN三极管 13V 30mA 42Ghz 160~400 TSLP-3-9 marking/标记 R9 高增益超低噪声RF晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)30mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)42Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)160~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation160mW/0.16W
Description & ApplicationsNPN Silicon Germanium RF Transistor • High gain ultra low noise RF transistor • Extremly small and flat leadless package,height 0.32 mm, ideal for modules • Provides outstanding performance for wireless applications up to 10 GHz • Ideal for WLAN applications,including routers and access points • Based on Infineon's reliable high volume SiGe: • Outstanding noise figure NFmin Outstanding noise figure NFmin • Accurate SPICE GP model enables effective design in process • High maximum stable and available gain • Pb-free (RoHS compliant) package
描述与应用NPN硅锗射频晶体管 •高增益超低噪声RF晶体管 的极端小而扁平无引线封装,高度为0.32毫米,非常适合模块 •为无线应用提供出色的性能高达10 GHz的 •非常适合WLAN应用,包括路由器和接入点 基于英飞凌的可靠的高容量锗: •卓越的噪音系数NFmin   卓越的噪音系数NFmin •精确的SPICE GP模型能够有效的设计过程中 •最高稳定和可用增益 •无铅封装(符合RoHS)
规格书PDF
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