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HN7G06FE-A 复合带阻尼三极管 SOT-563 标记74A 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述

 

Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  -15V
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  -12V
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  -500MA/-0.5A
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)  50V
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)  50V
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)  100MA/0.1A
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio  
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  47KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  47KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio  1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2  30~1000/80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  130MHZ / 250MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation  0.2W
Description & Applications  TOSHIBA Multichip Discrete Device 
• Power Management Switch Applications, Inverter 
Circuit Applications, Driver Circuit Applications and 
Interface Circuit Applications 
 • Combining transistor and BRT reduces the parts count, enabling the 
design of more compact equipment with a simpler system configuration. 
 Q1: 2SA1955F equivalent 
Q2: RN1104F equivalent 
 
描述与应用    东芝多片分立器件
  电源管理开关应用,逆变器
  电路的应用程序,驱动电路和应用
  接口电路的应用
  结合晶体管和BRT减少了零件数量,使
  设计更紧凑的设备与一个简单的系统配置。
  Q1:2 sa1955f
  Q2:RN1104F等效
 

 

规格书PDF
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