SSM3J16FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DT 高速开关 模拟开关 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -0.1A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 8Ω @-10mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.1V--1.7V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) |
| 描述与应用 | 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） |
| 规格书PDF |
