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SI2307DS-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -30V -3A 0.064ohm SOT-23 marking/标记 A7

型号：SI2307DS-T1-E3
标记/丝印/代码/打字：A7
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.064Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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